Transistor B679 Datenblatt

B679

SI PNP darlington Transistor

GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-1.5A

h_FE

>2000

P_tot

10W

T_ON/T_OFF

0.3/2.7µS

T_J

der B679 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 1.5A

Photo:

Quelle:

2SB679

Erweiterte Informationen zu B679
OEM:	Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:	TO-220
B679 Datenblatt (jpg):	-
B679 Datenblatt (pdf):	-
OEM Datenblatt:	-
Komplementär Typ: ↓	2SD689
Ähnliche Typen: ↓	BDW54C, [mehr] BDW54C,2SB751B
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10W

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